APTGTQ200A65T3G - POWER MODULE - IGBT

codice articolo del costruttore

APTGTQ200A65T3G

Numero parte interna

ABC-APTGTQ200A65T3G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

POWER MODULE - IGBT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

47936 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 31.19465~~

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Specifiche per APTGTQ200A65T3G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTGTQ200A65T3G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : POWER MODULE - IGBT

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo IGBT : -

Configurazione : Half Bridge

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 650V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 200A

Potenza - Max : 483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Limite del collettore (max) : 200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 12nF @ 25V

Ingresso : Standard

Termistore NTC : Yes

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : SP3F

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTGT , APTGTQ2

Documenti per APTGTQ200A65T3G

Schede tecniche : APTGTQ200A65T3G.pdf

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