FDMC2610 - MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

codice articolo del costruttore

FDMC2610

Numero parte interna

ABC-FDMC2610

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

855988 Pieces

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Specifiche per FDMC2610

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMC2610

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

Serie : UniFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 960pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta), 42W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-MLP (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FD , FDMC

Documenti per FDMC2610

Schede tecniche : FDMC2610.pdf

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