S1FLJ-GS18 - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

codice articolo del costruttore

S1FLJ-GS18

Numero parte interna

ABC-S1FLJ-GS18

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

15084097 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per S1FLJ-GS18

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : S1FLJ-GS18

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 700mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-219AB (SMF)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : S1F , S1FLJ

Documenti per S1FLJ-GS18

Schede tecniche : S1FLJ-GS18.pdf

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