IPW60R090CFD7XKSA1 - HIGH POWERNEW

codice articolo del costruttore

IPW60R090CFD7XKSA1

Numero parte interna

ABC-IPW60R090CFD7XKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

HIGH POWERNEW

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

92704 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 4.035~~

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Specifiche per IPW60R090CFD7XKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPW60R090CFD7XKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : HIGH POWERNEW

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 11.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 570µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2103pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO247-3

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPW60R , IPW60R090

Documenti per IPW60R090CFD7XKSA1

Schede tecniche : IPW60R090CFD7XKSA1.pdf

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