IRFW630BTM-FP001 - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

codice articolo del costruttore

IRFW630BTM-FP001

Numero parte interna

ABC-IRFW630BTM-FP001

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1230313 Pieces

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Specifiche per IRFW630BTM-FP001

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFW630BTM-FP001

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.13W (Ta), 72W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFW6 , IRFW630B

Documenti per IRFW630BTM-FP001

Schede tecniche : IRFW630BTM-FP001.pdf

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