APT22F100J - MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

codice articolo del costruttore

APT22F100J

Numero parte interna

ABC-APT22F100J

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

90144 Pieces

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Specifiche per APT22F100J

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APT22F100J

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Serie : POWER MOS 8™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9835pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 545W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : ISOTOP®

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APT , APT22

Documenti per APT22F100J

Schede tecniche : APT22F100J.pdf

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