BS2100F-E2 - IC DVR IGBT/MOSFET

codice articolo del costruttore

BS2100F-E2

Numero parte interna

ABC-BS2100F-E2

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

IC DVR IGBT/MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1460424 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BS2100F-E2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BS2100F-E2

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : IC DVR IGBT/MOSFET

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Configurazione guidata : Half-Bridge

Tipo di canale : Independent

Numero di driver : 2

Gate Type : N-Channel MOSFET

Tensione - Fornitura : 10V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH : 1V, 2.6V

Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) : 60mA, 130mA

Tipo di input : Non-Inverting

Tensione lato alto - Max (Bootstrap) : 600V

Rise / Fall Time (Typ) : 200ns, 100ns

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BS2 , BS210

Documenti per BS2100F-E2

Schede tecniche : BS2100F-E2.pdf

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