MJD112-1G - TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

codice articolo del costruttore

MJD112-1G

Numero parte interna

ABC-MJD112-1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

962717 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per MJD112-1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MJD112-1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : NPN - Darlington

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 100V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 3V @ 40mA, 4A

Corrente - Limite del collettore (max) : 20µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 1000 @ 2A, 3V

Potenza - Max : 1.75W

Frequenza - Transizione : 25MHz

temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MJD , MJD1

Documenti per MJD112-1G

Schede tecniche : MJD112-1G.pdf

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