ES3BHM6G - DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

codice articolo del costruttore

ES3BHM6G

Numero parte interna

ABC-ES3BHM6G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5332754 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.06138~~

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Specifiche per ES3BHM6G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ES3BHM6G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 3A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 3A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AB (SMC)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ES , ES3B

Documenti per ES3BHM6G

Schede tecniche : ES3BHM6G.pdf

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