DMT10H015LSS-13 - MOSFET N-CH 100V 8.3A

codice articolo del costruttore

DMT10H015LSS-13

Numero parte interna

ABC-DMT10H015LSS-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 8.3A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1221535 Pieces

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Specifiche per DMT10H015LSS-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMT10H015LSS-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 8.3A

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1871pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.2W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMT10 , DMT10H0

Documenti per DMT10H015LSS-13

Schede tecniche : DMT10H015LSS-13.pdf

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