IXTT16N10D2 - MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

codice articolo del costruttore

IXTT16N10D2

Numero parte interna

ABC-IXTT16N10D2

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

80376 Pieces

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Specifiche per IXTT16N10D2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTT16N10D2

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 8A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 25V

Caratteristica FET : Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max) : 830W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268

Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTT1

Documenti per IXTT16N10D2

Schede tecniche : IXTT16N10D2.pdf

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