BAQ35-GS18 - DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

codice articolo del costruttore

BAQ35-GS18

Numero parte interna

ABC-BAQ35-GS18

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

13753152 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BAQ35-GS18

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BAQ35-GS18

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 125V

Corrente: media rettificata (Io) : 200mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1nA @ 60V

Capacità @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Pacchetto dispositivo fornitore : SOD-80 MiniMELF

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BAQ , BAQ35

Documenti per BAQ35-GS18

Schede tecniche : BAQ35-GS18.pdf

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