FDG315N - MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

codice articolo del costruttore

FDG315N

Numero parte interna

ABC-FDG315N

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2721124 Pieces

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Specifiche per FDG315N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDG315N

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 750mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88 (SC-70-6)

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDG315N

Schede tecniche : FDG315N.pdf

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