VP2206N3-G-P003 Scheda dati
Specifiche per VP2206N3-G-P003
Numero parte :
VP2206N3-G-P003
fabbricante :
Microchip Technology
Descrizione :
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
640mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
450pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
740mW (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-92-3
Pacchetto / caso :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-VP2206N3-G-P003
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
423710 pezzi
Prezzo di riferimento
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