US6K1TR Scheda dati
Specifiche per US6K1TR
Numero parte :
US6K1TR
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
80pF @ 10V
Potenza - Max :
1W
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore :
TUMT6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-US6K1TR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3199651 pezzi
Prezzo di riferimento
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