US6J11TR Scheda dati
Specifiche per US6J11TR
Numero parte :
US6J11TR
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 6V
Potenza - Max :
320mW
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore :
TUMT6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-US6J11TR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3352013 pezzi
Prezzo di riferimento
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