UPA2812T1L-E1-AT Scheda dati
Specifiche per UPA2812T1L-E1-AT
Numero parte :
UPA2812T1L-E1-AT
fabbricante :
Renesas Electronics America
Descrizione :
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3740pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.5W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-HVSON (3x3.3)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-UPA2812T1L-E1-AT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
87040 pezzi
Prezzo di riferimento
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