TPN2R805PL,L1Q Scheda dati
Specifiche per TPN2R805PL,L1Q
Numero parte :
TPN2R805PL,L1Q
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSIX-H
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
45V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
139A (Ta), 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3.2nF @ 22.5V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.67W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio :
175°C
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-TPN2R805PL,L1Q
fabbricante
Breve descrizione
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1623629 pezzi
Prezzo di riferimento
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