TPH8R903NL,LQ Scheda dati
Specifiche per TPH8R903NL,LQ
Numero parte :
TPH8R903NL,LQ
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Serie :
U-MOSVIII-H
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.6W (Ta), 24W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-TPH8R903NL,LQ
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2315292 pezzi
Prezzo di riferimento
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