TN0106N3-G-P013 Scheda dati
Specifiche per TN0106N3-G-P013
Numero parte :
TN0106N3-G-P013
fabbricante :
Microchip Technology
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
350mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-92-3
Pacchetto / caso :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-TN0106N3-G-P013
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1025129 pezzi
Prezzo di riferimento
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