TK6A80E,S4X Scheda dati
Specifiche per TK6A80E,S4X
Numero parte :
TK6A80E,S4X
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Serie :
π-MOSVIII
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
45W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220SIS
Pacchetto / caso :
TO-220-3 Full Pack
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-TK6A80E,S4X
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
346367 pezzi
Prezzo di riferimento
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