Specifiche per STS8DN6LF6AG

Numero parte : STS8DN6LF6AG
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Serie : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1340pF @ 25V
Potenza - Max : 3.2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1051134 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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