STS3DNE60L Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

Specifiche per STS3DNE60L

Numero parte : STS3DNE60L

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

Serie : STripFET™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 815pF @ 25V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

STS3DNE60L

Numero parte interna

ABC-STS3DNE60L

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

48217 pezzi

Prezzo di riferimento

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Specifiche per STS3DNE60L

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