SSM3K35AMFV,L3F Scheda dati
Specifiche per SSM3K35AMFV,L3F
Numero parte :
SSM3K35AMFV,L3F
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Serie :
U-MOSIII
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
250mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.34nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
36pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
500mW (Ta)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
VESM
Pacchetto / caso :
SOT-723
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SSM3K35AMFV,L3F
fabbricante
Breve descrizione
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
19254403 pezzi
Prezzo di riferimento
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