SQJ910AEP-T1_GE3 Scheda dati
Specifiche per SQJ910AEP-T1_GE3
Numero parte :
SQJ910AEP-T1_GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1869pF @ 15V
Potenza - Max :
48W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® SO-8 Dual
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SQJ910AEP-T1_GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1069313 pezzi
Prezzo di riferimento
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