SQ4920EY-T1_GE3 Scheda dati
Specifiche per SQ4920EY-T1_GE3
Numero parte :
SQ4920EY-T1_GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1465pF @ 15V
Potenza - Max :
4.4W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SQ4920EY-T1_GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
764862 pezzi
Prezzo di riferimento
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