SPP06N60C3HKSA1 Scheda dati
Specifiche per SPP06N60C3HKSA1
Numero parte :
SPP06N60C3HKSA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Serie :
CoolMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
74W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso :
TO-220-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SPP06N60C3HKSA1
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
442330 pezzi
Prezzo di riferimento
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