SIZ926DT-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIZ926DT-T1-GE3
Numero parte :
SIZ926DT-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potenza - Max :
20.2W, 40W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-PowerPair® (6x5)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SIZ926DT-T1-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1136618 pezzi
Prezzo di riferimento
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