SIZ904DT-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIZ904DT-T1-GE3
Numero parte :
SIZ904DT-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
435pF @ 15V
Potenza - Max :
20W, 33W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-PowerPair™
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-PowerPair™
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SIZ904DT-T1-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1180991 pezzi
Prezzo di riferimento
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