SIHB35N60EF-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIHB35N60EF-GE3
Numero parte :
SIHB35N60EF-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Serie :
EF
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
134nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2568pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
250W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D²PAK (TO-263)
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SIHB35N60EF-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
101376 pezzi
Prezzo di riferimento
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