SIA533EDJ-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SIA533EDJ-T1-GE3
Numero parte :
SIA533EDJ-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 6V
Potenza - Max :
7.8W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SIA533EDJ-T1-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2686509 pezzi
Prezzo di riferimento
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