SI7900AEDN-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI7900AEDN-T1-GE3
Numero parte :
SI7900AEDN-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
1.5W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1174040 pezzi
Prezzo di riferimento
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