SI4800BDY-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI4800BDY-T1-GE3
Numero parte :
SI4800BDY-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.3W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SI4800BDY-T1-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2009476 pezzi
Prezzo di riferimento
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