SI3499DV-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI3499DV-T1-GE3
Numero parte :
SI3499DV-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
750mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.1W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-TSOP
Pacchetto / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SI3499DV-T1-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1376466 pezzi
Prezzo di riferimento
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