SI3457DV Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Specifiche per SI3457DV

Numero parte : SI3457DV

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

SI3457DV

Numero parte interna

ABC-SI3457DV

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2106937 pezzi

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