SI1905BDH-T1-E3 Scheda dati
Specifiche per SI1905BDH-T1-E3
Numero parte :
SI1905BDH-T1-E3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
62pF @ 4V
Potenza - Max :
357mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore :
SC-70-6 (SOT-363)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SI1905BDH-T1-E3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
54002 pezzi
Prezzo di riferimento
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