SI1431DH-T1-GE3 Scheda dati
Specifiche per SI1431DH-T1-GE3
Numero parte :
SI1431DH-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
950mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SI1431DH-T1-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2736251 pezzi
Prezzo di riferimento
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