SCTH90N65G2V-7 Scheda dati
Specifiche per SCTH90N65G2V-7
Numero parte :
SCTH90N65G2V-7
fabbricante :
STMicroelectronics
Descrizione :
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
157nC @ 18V
Vgs (massimo) :
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3300pF @ 400V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
330W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
H2PAK-7
Pacchetto / caso :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SCTH90N65G2V-7
fabbricante
Breve descrizione
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
63456 pezzi
Prezzo di riferimento
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