RN1425TE85LF Scheda dati
Specifiche per RN1425TE85LF
Numero parte :
RN1425TE85LF
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Serie :
-
Stato parte :
Active
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
90 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) :
500nA
Frequenza - Transizione :
300MHz
Potenza - Max :
200mW
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore :
S-Mini
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-RN1425TE85LF
fabbricante
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
6927508 pezzi
Prezzo di riferimento
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