RGT8NS65DGTL Scarica la scheda tecnica in PDF - IGBT 650V 8A 65W TO-263S

Specifiche per RGT8NS65DGTL

Numero parte : RGT8NS65DGTL

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : IGBT 650V 8A 65W TO-263S

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo IGBT : Trench Field Stop

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 650V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 8A

Corrente - Collector Pulsed (Icm) : 12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 4A

Potenza - Max : 65W

Cambiare energia : -

Tipo di input : Standard

Carica del cancello : 13.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 17ns/69ns

Condizione di test : 400V, 4A, 50 Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr) : 40ns

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : LPDS (TO-263S)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

RGT8NS65DGTL

Numero parte interna

ABC-RGT8NS65DGTL

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

IGBT 650V 8A 65W TO-263S

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1167551 pezzi

Prezzo di riferimento

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RGT8NS65DGTL Scheda dati

Specifiche per RGT8NS65DGTL

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