RDD020N60TL Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Specifiche per RDD020N60TL

Numero parte : RDD020N60TL

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 20W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : CPT3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

RDD020N60TL

Numero parte interna

ABC-RDD020N60TL

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1198988 pezzi

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