PMXB360ENEAZ Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Specifiche per PMXB360ENEAZ

Numero parte : PMXB360ENEAZ

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 400mW (Ta), 6.25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1010D-3

Pacchetto / caso : 3-XDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

PMXB360ENEAZ

Numero parte interna

ABC-PMXB360ENEAZ

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5151468 pezzi

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