PMWD19UN,518 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Specifiche per PMWD19UN,518

Numero parte : PMWD19UN,518

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1478pF @ 10V

Potenza - Max : 2.3W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

PMWD19UN,518

Numero parte interna

ABC-PMWD19UN,518

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49062 pezzi

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