PMT760EN,115 Scheda dati
Specifiche per PMT760EN,115
Numero parte :
PMT760EN,115
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V SC-73
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
900mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
160pF @ 80V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
800mW (Ta), 6.2W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-223
Pacchetto / caso :
TO-261-4, TO-261AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-PMT760EN,115
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V SC-73
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
46124 pezzi
Prezzo di riferimento
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