PMGD175XN,115 Scheda dati
Specifiche per PMGD175XN,115
Numero parte :
PMGD175XN,115
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 15V
Potenza - Max :
390mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-TSSOP
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-PMGD175XN,115
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
60632 pezzi
Prezzo di riferimento
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