PMDPB95XNE,115 Scheda dati
Specifiche per PMDPB95XNE,115
Numero parte :
PMDPB95XNE,115
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
143pF @ 15V
Potenza - Max :
475mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore :
DFN2020-6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-PMDPB95XNE,115
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
52715 pezzi
Prezzo di riferimento
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