Specifiche per PHX45NQ11T,127

Numero parte : PHX45NQ11T,127
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 110V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
45240 pezzi
Prezzo di riferimento
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