PHN210,118 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Specifiche per PHN210,118

Numero parte : PHN210,118

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 20V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

PHN210,118

Numero parte interna

ABC-PHN210,118

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

56095 pezzi

Prezzo di riferimento

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PHN210,118 Scheda dati

Specifiche per PHN210,118

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