NVMFD5875NLWFT1G Scheda dati
Specifiche per NVMFD5875NLWFT1G
Numero parte :
NVMFD5875NLWFT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 25V
Potenza - Max :
3.2W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-NVMFD5875NLWFT1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1202292 pezzi
Prezzo di riferimento
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