NVMD6P02R2G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC

Specifiche per NVMD6P02R2G

Numero parte : NVMD6P02R2G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 16V

Potenza - Max : 750mW

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

NVMD6P02R2G

Numero parte interna

ABC-NVMD6P02R2G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

937986 pezzi

Prezzo di riferimento

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